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Mott Insulator to high c Superconductor via Pressure: Resonating Valence Bond theory and prediction of new Systems

机译:莫特绝缘体通过压力高压\ tc超导体:共振   Valence Bond理论与新系统的预测

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摘要

Mott insulator superconductor transition, via pressure and no externaldoping, is studied in orbitally non degenerate spin-\half systems. It ispresented as another RVB route to high \tc superconductivity. We propose a`strong coupling' hypothesis which helps to view first order Mott transition asa self doping process that also preserves superexchange on metal side . Wepresent a generalized t-J model where a conserved $N_0$ doubly occupied ($e^-$)sites and $N_0$ empty sites ($e^+$) hop in the background of $N - 2 N_0$ singlysingly occupied (neutral) sites in a lattice of N sites. An equivalence to theregular t-J model is made and some old and new systems are predicted to becandidates for pressure induced high \tc superconductivity.
机译:在轨道非简并的自旋/半系统中研究了莫特绝缘子超导体通过压力和无外部掺杂的过渡。它被视为实现高\ tc超导性的另一种RVB途径。我们提出“强耦合”假设,该假设有助于将一阶Mott转变视为一种自掺杂过程,该过程也保留了金属方面的超交换。我们提出一个广义的tJ模型,其中保守的$ N_0 $双重占用($ e ^-$)站点和$ N_0 $空站点($ e ^ + $)在$ N-2 N_0 $单独占据(中性)的背景下跳跃N个站点的格子中的两个站点。建立了与常规t-J模型的等价关系,并预测了一些新旧系统可能是压力诱导的高\ tc超导性的候选者。

著录项

  • 作者

    Baskaran, G.;

  • 作者单位
  • 年度 2002
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  • 原文格式 PDF
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  • 中图分类

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